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삼성전자, 세계 최초 `5세대 V낸드` 메모리 양산

기사입력 2018-07-10 11:03:10 | 최종수정 2018-07-10 11:50:09
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▲ 삼성전자가 개발한 5세대 3차원 V낸드 메모리 ⓒ삼성전자
[봉황망코리아 유경표 기자] 삼성전자가 세계 최초로 '256Gb(기가비트) 5세대 V낸드' 플래시 메모리를 양산한다고 10일 밝혔다.

이번 삼성전자가 개발한 '5세대 V낸드'는 '3차원 CTF 셀'을 90단 이상 쌓는 세계 최고 수준의 적층기술이 적용됐다. 차세대 낸드 인터페이스 'Toggle DDR 4.0 규격'도 처음 적용해 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠르다.

삼성전자는 '5세대 V낸드'의 성능과 생산성을 극대화 하기 위해 독자 개발한 '3대 혁신기술'을 적용했다고 설명했다. 3대 혁신기술은 ▲초고속·저전압 동작 회로설계 기술 ▲고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 기술 ▲텅스텐 원자층박막 공정 기술 등이다.

이들 기술을 적용하면 4세대와 동일 수준의 소비전력량으로도 최고 성능을 구현이 가능하고, 데이터 쓰기시간·읽기 응답 시간도 대폭 줄일 수 있다. 특히 셀 영역의 높이를 20% 낮추는 자체 기술로 4세대 제품대비 생산성은 30% 이상 높인 반면, 간섭 현상은 줄여 제품의 동작 오류를 방지했다.

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 경계현 부사장은 "5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다"며 "향후 1Tb(테라비트)와 QLC(Quad Level Cell) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 5세대 V낸드의 고객 수요 확대에 맞춰 생산 비중을 빠르게 확대해 슈퍼컴퓨터부터 엔터프라이즈 서버, 모바일 시장까지 고용량화 트랜드를 지속 주도해 나갈 방침이다.

yukp@ifeng.co.kr
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